文｜半导体产业纵横
2026年的半导体圈，正在演出一场现实版的“抢椅子”游戏。而搅拌这场战局的中枢变量，恰是AI引爆的存储需求。
逻辑变了！存储厂成EUV大买家
在这一轮游戏中，光刻机即是这把“椅子”。
近日，存储芯片大厂SK海力士文书将在2027年12月31日前向荷兰ASML采购价值11.95万亿韩元（约79.7亿好意思元）的极紫外光（EUV）光刻机，旨在支吾日益增长的内存芯片需求。该走动已看成认真裸露文献提交给韩国监管机构，并成为频年来ASML客户公开的最大一笔EUV光刻机采购订单。
把柄展望，SK海力士采购的这些EUV光刻机将主要用于先进DRAM芯片和HBM芯片的出产。主要会部署在两个晶圆厂：一个是SK海力士位于龙仁的新晶圆厂，该晶圆厂策动于2027年2月投产；另一个则是位于清州的M15X工场，该晶圆厂特意用于出产高带宽内存芯片。
伯恩斯坦公司的分析师戴维·谈则展望，SK海力士的这份订单将使得其在两年内新增约30台EUV光刻机。这略高于其之前预测的SK海力士两年内将采购26台EUV光刻机的数目。
无专有偶，存储龙头三星也传出了大举采购光刻机的动作。韩国媒体Sedaily征引知情东谈主士的音尘报谈称，三星电子已折服向光刻机大厂ASML和佳能订购了约70台光刻机，总金额高达10万亿韩元（约67亿好意思元），其中包含20台EUV光刻开荒。不外三星方面随后回复称，该音尘并不属实，公司于今尚未作出相干决策。
尽管三星的采购听说未得到证据，但这一音尘自身就折射出现时半导体行业对光刻机的蹙迫需求。
决战1c节点的输赢手，压给光刻机
在探究三星、SK海力士两大存储龙头大举采购EUV光刻机的策略逻辑前，需先系统梳理五大中枢影响身分，这些身分径直决定了两家企业的采购畛域、节律及行业后续神色：
第一，两大巨头现时EUV光刻机保有量。
第二，两家公司1c DRAM现存产能基数、2026年底筹划产能的落地旅途及产能爬坡节律。
第三，不同出产制造才调带来的市集竞争力互异。
第四，ASML的EUV产能供给才调、拜托周期及现存订单积压情况，能否匹配两大龙头的扩产需求。
第五，是否需要警惕2028年产能长入开释导致的弥漫风险？
以下是对于上述五点的具体分析：
存储双雄EUV光刻机保有量
日前，调研机构BOFA公布了2021到2025年为止的EUV光刻机数目，如下所示：
如图所示，三星的EUV 光刻机捏有量已逾越SK海力士的两倍，这一开荒数目上风径直映射到产能层面——在存储芯片制造中，光刻机部署密度是先进制程产能开释的中枢不休条目，而多层EUV光刻更是10nm级以下工艺量产的中枢前提。2026年看成天下DRAM行业的“1c节点爆发年”，这场制程微缩竞赛已全面迈入第六代10nm级1cDRAM期间，成为AI算力爆发布景下高端内存供给的中枢战场。
当下，三星和SK海力士齐已开释扩产1c DRAM的中枢信息。
1c DRAM现存产能基数
把柄筹划，三星1c DRAM产能将在2025年第四季度率先达到每月6万片产能，2026年第二季度再新增8万片产能，并于2026年第四季进一步扩增6万片，届时全体月产能达到20万片。具体的时期节点以开荒完成安设为基准，有策动是在上述各个阶段具备立即量产条目。知情东谈主士指出：“三星将在来岁底前捏续强化1c DRAM 的供给才调，意在提前卡位下一代市集。”
SK海力士方面，据韩国媒体报谈，SK海力士策动2026年将1c DRAM月产能从目下约2万片300mm晶圆提高至16万至19万片，增幅达8至9倍，占其DRAM总产能的三分之一以上。据悉，SK海力士已将1c DRAM的良率提高至80%以上，该制程主要用于制造DDR5、LPDDR和GDDR7等最新通用DRAM家具。扩产后的1c DRAM将主要用于兴隆英伟达等大型科技公司的订单需求。这一策略养息反应出AI推理诓骗对资本效益更高的通用DRAM需求激增，该公司正将策略要点从HBM扩展至更精深的AI内存市集。
分析指出，比较需要复杂堆叠工艺的HBM，1c DRAM的出产成果更高，能够更快速响应市集需求的爆发式增长。
HBM是3D堆叠+系统级集成有策动，需通过TSV硅通孔、超薄减薄、多层键合及CoWoS等先进封装工夫，将多颗DRAM Die与基片垂直整合，工夫链路极复杂。1cDRAM则是DRAM制程的迭代升级，中枢是通过4F²单位架构、EUV曝光优化完了单Die密度提高与良率改善，无需重构产线，径直复用现存DRAM训练产线即可量产。
相较于HBM，1c DRAM 主买通用化、畛域化供给，是AI办事器、迁徙终局的中枢基础，同期亦然 HBM4/HBM4E 的最好中枢片。SK 海力士已明确，将基于第六代 10nm 级 1c 制程 32Gb DRAM 裸片打造 HBM4E 内存。三星雷同在推动相干布局，其研发的 12 层堆叠（12-Hi）、16 层堆叠（16-Hi）HBM4 家具，均会招揽 1c DRAM 工夫。
三星在2026年2月文书，已率先达成HBM4的量产，并向天下最大AI芯片公司英伟达发货。 该HBM4将搭载于英伟达最新Rubin GPU中。市集展望，Rubin GPU将于2026年下半年认真出货，以供应给谷歌、亚马逊等好意思国科技大厂，并带来逾越1万亿好意思元的市集畛域。与此同期，三星也在合营Rubin GPU上市节律，扩大华城H3 工场17线，以及平泽P3、P4 工场的HBM4 产能。
旧年9月，SK海力士完成HBM4开发，但随后在旧年12月，SK海力士文书HBM4的量产已推迟至2026年3月或4月，HBM4产能大幅膨胀的时期也进行了生动养息。SK海力士决定至少在2026年上半年之前，保捏HBM3E在通盘HBM家具中最高的产量占比。据悉，SK海力士在与英伟达磋商2026年HBM的产量时，大幅加多了HBM3E的产量。
不同出产制造才调带来的市集竞争力互异
2025年第一季度，SK海力士占据了天下DRAM市集36%的份额，略高于三星电子的34%和好意思光的25%。这亦然SK海力士自1983年树立以来初度在天下存储器市集占据主导地位。
随后在2025年第三季度，三星电子DRAM销售额达到139.42亿好意思元，环比增长29.6%，市集份额回升至34.8%，再行夺回行业榜首。同期SK海力士以137.9亿好意思元的销售额位居第二，市集份额为34.4%，与三星电子的差距仅为0.4个百分点。
三星电子事迹的反弹，收获于是制造端两大环节才调的长入开释：一是HBM 高端产能的快速爬坡与精确拜托。该公司第三季度HBM位单位出货量环比激增85%，主要由于运转向英伟达拜托第五代HBM3E家具。二是通用 DRAM 产能的弹性调控与价钱主导力。东谈主工智能数据中心对内存需求的爆发式增长，导致PC和智高手机等消耗级IT开荒的DRAM供应趋紧，进一步推高了家具价钱。
ASML的EUV产能供给才调
反过来念念考，SK 海力士敲定 30 台 EUV 订单、三星或可能采购 20 台的情况下，ASML 的产能能否跟上？在此之前，先来看一组 ASML 积年光刻机的出货量数据。
上图可见，2023年、2024年、2025年，ASML的EUV光刻开荒数目别离为53台、44台和48台。从这组数据中，当先能捕捉到两个中枢信息：一是ASML的EUV年出货量长久看护在40-55台的区间，产能开释呈现“渐渐线性增长”的特征，并未出现爆发式提高——这与EUV开荒的制造复杂度径直相干，一台EUV集成逾越12万个高精度零部件，依赖德国蔡司的光学系统、好意思国Cymer的极紫外光源等天下独家供应商，任何一个纪律的产能瓶颈齐会适度全体出货。
二是2024年出货量较2023年有所下滑，2025年虽有回升但未卤莽2023年峰值，这背后既有ASML产能养息的身分，也反应出前两年行业扩产潮后，部分企业进入产能消化期，而2025年的回升则与AI驱动下高端存储、先进逻辑芯片的需求复苏径直相干。
SK海力士的采购策动具备明确的产能落地撑捏。上文提到，这批开荒将别离部署在清州M15X工场和在建的龙仁半导体集群，其中龙仁基地的首座洁净室启用时期已从2027年5月提前至2027年2月，与开荒拜托节律高度匹配。若三星也策动采购20台EUV，且雷同策动在2027年底前拜托，那么SK海力士与三星的订单统统将达到50台，占ASML两年产能的一半以上，这将大幅挤压台积电、英特尔等其他头部客户的产能配额。
还需庄重的是，日前ASML在财报中写谈，放胆2025年底，公司积压在手订单达388亿欧元，其中EUV系统积压订单达255亿欧元，占比65%。其中粗略包含SK海力士的已下订单，因此倘若三星和SK海力士均在当下向ASML追加普遍EUV订单，短期内也难以赢得充足的产能配额。
2028年，产能弥漫？
据韩国媒体报谈，三星里面展望本轮存储清寒将于2028年前后趋于缓解，并据此校准投资节律，以幸免重蹈过度膨胀的覆辙。与此同期，SK海力士亦屡次公开表态，将以施行需求而非乐不雅预期看成扩产依据。但是EUV光刻机的产能存在硬不休，当下不抢购，异日几年将透顶失去高端赛谈的竞争力。
因此，三星与SK海力士当下普遍采购EUV光刻机，与警惕2028年产能弥漫并不矛盾。警惕2028年弥漫，是着眼于远期的风险防控；而目下抢购EUV，则是支吾近期市集刚需、支吾行业竞争、推动家具结构升级的势必遴荐。
DRAM工夫下一步，该抢什么？
耐久以来，DRAM的密度提高高度依赖于制程微缩，这使得对EUV等高端光刻机的进入成为刚性需求。
跟着3D 堆叠存储的发展，3D NAND 为提高存储密度，将存储单位垂直堆叠，层数陆续加多，目下主流家具已逾越 300 层，异日还将向 1000 层迈进。DRAM异日也有肖似的3D堆叠层数的工夫道路图。这种工夫旅途的鼎新，意味着厂商对光刻精度的极致追求将有所放缓，进而缩短对EUV光刻机的需求。
相应的对刻蚀开荒的需求量和性能要求呈指数级增长，比如从 32 层提高到 128 层时，刻蚀开荒用量占比从 35% 提高至 48%。此外，近存筹划有策动的发展加多了 TSV 刻蚀需求，TSV 工艺中刻蚀和填充开荒占比接近 70%，进一步加多了刻蚀开荒的需求。同期，3D NAND 堆叠层数陆续加多，每层薄膜厚度要求严苛，ALD 与 CVD 协同工艺成为主流，这齐对薄膜千里积开荒提倡了更高要求。
因此，半导体制造的异日重点，或将从单纯依靠光刻机缩短特征尺寸开yun体育网，转向更复杂环节的刻蚀与薄膜千里积工艺。DRAM 对光刻机的依赖进度，也将昭彰低于现时水平。